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> SI2303CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
型号:
SI2303CDS-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI2303CDS-T1-E3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫欧 @ 1.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
155pF @ 15V
功率 - 最大
2.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
带卷 (TR)
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